Compre ON Semiconductor FDC855N MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

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FDC855N

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

Número da peça

FDC855N

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Series

PowerTrench®

Status da peça

Active

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote/Caixa

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacote de dispositivos do fornecedor

SuperSOT™-6

Dissipação de energia (máx.)

1.6W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Recurso FET

Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)

30V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

6.1A (Ta)

Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs

27 mOhm @ 6.1A, 10V

Vgs(th) (máx.) @ ID

3V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs

13nC @ 10V

Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds

655pF @ 15V

Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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