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FDA20N50-F109
MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P
Número da peça
FDA20N50-F109
Fabricante/Marca
Series
UniFET™
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-3P-3, SC-65-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3PN
Dissipação de energia (máx.)
280W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
500V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
230 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
59.5nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3120pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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