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FCP110N65F
MOSFET N-CH 650V 35A TO220
Número da peça
FCP110N65F
Fabricante/Marca
Series
FRFET®, SuperFET® II
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-220-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Dissipação de energia (máx.)
357W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
650V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
110 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
5V @ 3.5mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
145nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4895pF @ 100V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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