ON Semiconductor
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BVSS123LT1G
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BVSS123LT1G

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
Número da peça
BVSS123LT1G
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23-3
Dissipação de energia (máx.)
225mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
170mA (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
6 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.8V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
-
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
20pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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