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PHM18NQ15T,518

PHM18NQ15T,518

MOSFET N-CH 150V 19A SOT685-1
Número da peça
PHM18NQ15T,518
Fabricante/Marca
Series
TrenchMOS™
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-VDFN Exposed Pad
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-HVSON (6x5)
Dissipação de energia (máx.)
62.5W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
150V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
75 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
26.4nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1150pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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