PMZB670UPE,315
MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Número da peça
PMZB670UPE,315
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
3-XFDFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
3-DFN1006B (0.6x1)
Dissipação de energia (máx.)
360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
680mA (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
850 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1.3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
1.14nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
87pF @ 10V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
1.8V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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