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PMZB200UNEYL
MOSFET N-CH 30V SOT883
Número da peça
PMZB200UNEYL
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
3-XFDFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
DFN1006B-3
Dissipação de energia (máx.)
350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
250 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
950mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
2.7nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
89pF @ 15V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
1.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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