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PMXB40UNE
MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
3-XDFN Exposed Pad
Pacote de dispositivos do fornecedor
DFN1010D-3
Dissipação de energia (máx.)
400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
12V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
45 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
900mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
11.6nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
556pF @ 10V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
1.2V, 4.5V
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