PMXB360ENEAZ
MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
Número da peça
PMXB360ENEAZ
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
3-XDFN Exposed Pad
Pacote de dispositivos do fornecedor
DFN1010D-3
Dissipação de energia (máx.)
400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
80V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
450 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.7V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
4.5nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
130pF @ 40V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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