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PHKD6N02LT,518

PHKD6N02LT,518

MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
Número da peça
PHKD6N02LT,518
Fabricante/Marca
Series
TrenchMOS™
Status da peça
Last Time Buy
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potência - Máx.
4.17W
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
10.9A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
15.3nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
950pF @ 10V
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