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PHK18NQ03LT,518
MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC
Número da peça
PHK18NQ03LT,518
Fabricante/Marca
Series
TrenchMOS™
Status da peça
Last Time Buy
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO
Dissipação de energia (máx.)
6.25W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
20.3A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
8.9 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.15V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
10.6nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1380pF @ 12V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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