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APTM50H10FT3G
MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
Número da peça
APTM50H10FT3G
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Bulk
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote/Caixa
SP3
Potência - Máx.
312W
Pacote de dispositivos do fornecedor
SP3
Tipo FET
4 N-Channel (H-Bridge)
Recurso FET
Standard
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
500V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
37A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
120 mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
96nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4367pF @ 25V
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