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APTM100A23SCTG
MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
Número da peça
APTM100A23SCTG
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Bulk
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote/Caixa
SP4
Potência - Máx.
694W
Pacote de dispositivos do fornecedor
SP4
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET
Silicon Carbide (SiC)
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
1000V (1kV)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
36A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
270 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
5V @ 5mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
308nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
8700pF @ 25V
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