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APTM50DAM35TG

APTM50DAM35TG

MOSFET N-CH 500V 99A SP4
Número da peça
APTM50DAM35TG
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Bulk
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote/Caixa
SP4
Pacote de dispositivos do fornecedor
SP4
Dissipação de energia (máx.)
781W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
500V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
99A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
39 mOhm @ 49.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
5V @ 5mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
280nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
14000pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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