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APTM100U13SG

APTM100U13SG

MOSFET N-CH 1000V 65A J3
Número da peça
APTM100U13SG
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Discontinued at Digi-Key
Embalagem
Bulk
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote/Caixa
J3 Module
Pacote de dispositivos do fornecedor
Module
Dissipação de energia (máx.)
1250W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
1000V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
145 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 10mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
2000nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
31600pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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