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APTM100DA18T1G
MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
Número da peça
APTM100DA18T1G
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Bulk
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote/Caixa
SP1
Pacote de dispositivos do fornecedor
SP1
Dissipação de energia (máx.)
657W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
1000V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
216 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
570nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
14800pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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