A imagem pode ser uma representação.
Veja as especificações para detalhes do produto.
APTM100DA18T1G

APTM100DA18T1G

MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
Número da peça
APTM100DA18T1G
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Bulk
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote/Caixa
SP1
Pacote de dispositivos do fornecedor
SP1
Dissipação de energia (máx.)
657W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
1000V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
216 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
570nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
14800pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitar orçamento
Preencha todos os campos obrigatórios e clique em ENVIAR, entraremos em contato com você em 12 horas por e-mail.Se você tiver algum problema, deixe mensagens ou e-mail para [email protected], responderemos o mais breve possível.
Em estoque 3547 PCS
Informações de contato
Palavras-chave deAPTM100DA18T1G
APTM100DA18T1G Componentes eletrônicos
APTM100DA18T1G vendas
APTM100DA18T1G Fornecedor
APTM100DA18T1G Distribuidor
APTM100DA18T1G Tabela de dados
APTM100DA18T1G fotos
Preço APTM100DA18T1G
APTM100DA18T1G Oferta
APTM100DA18T1G Preço mais baixo
APTM100DA18T1G Pesquisa
APTM100DA18T1G Comprando
Ficha APTM100DA18T1G