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APT1001RBN
MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD
Número da peça
APT1001RBN
Fabricante/Marca
Series
POWER MOS IV®
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-247-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247AD
Dissipação de energia (máx.)
310W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
1000V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
1 Ohm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
130nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2950pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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