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VP3203N8-G

VP3203N8-G

MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT89-3
Número da peça
VP3203N8-G
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-243AA
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-243AA (SOT-89)
Dissipação de energia (máx.)
1.6W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
1.1A (Tj)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
600 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3.5V @ 10mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
-
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
300pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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