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TN2130K1-G

TN2130K1-G

MOSFET N-CH 300V 0.085A SOT23-3
Número da peça
TN2130K1-G
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-236AB (SOT23)
Dissipação de energia (máx.)
360mW (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
300V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
85mA (Tj)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
25 Ohm @ 120mA, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
-
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
50pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V
Vgs (máx.)
±20V
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