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TN0610N3-G-P013
MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
Número da peça
TN0610N3-G-P013
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-92-3
Dissipação de energia (máx.)
1W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
500mA (Tj)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
1.5 Ohm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
-
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
150pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
3V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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