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LSIC1MO120E0120
SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3
Número da peça
LSIC1MO120E0120
Fabricante/Marca
Status da peça
Active
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-247-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-3
Dissipação de energia (máx.)
139W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
1200V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
150 mOhm @ 14A, 20V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 7mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
80nC @ 20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1125pF @ 800V
Vgs (máx.)
+22V, -6V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
20V
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