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IXFT12N100F
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
Número da peça
IXFT12N100F
Fabricante/Marca
Series
HiPerRF™
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-268 (IXFT)
Dissipação de energia (máx.)
300W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
1000V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
5.5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
77nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2700pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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