A imagem pode ser uma representação.
Veja as especificações para detalhes do produto.
Veja as especificações para detalhes do produto.
IXFT12N100
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268
Número da peça
IXFT12N100
Fabricante/Marca
Series
HiPerFET™
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-268
Dissipação de energia (máx.)
300W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
1000V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4.5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
155nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4000pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitar orçamento
Preencha todos os campos obrigatórios e clique em ENVIAR, entraremos em contato com você em 12 horas por e-mail.Se você tiver algum problema, deixe mensagens ou e-mail para [email protected], responderemos o mais breve possível.
Em estoque 679 PCS
Informações de contato
Produtos relacionados
Palavras-chave deIXFT12N100
IXFT12N100 Componentes eletrônicos
IXFT12N100 vendas
IXFT12N100 Fornecedor
IXFT12N100 Distribuidor
IXFT12N100 Tabela de dados
IXFT12N100 fotos
Preço IXFT12N100
IXFT12N100 Oferta
IXFT12N100 Preço mais baixo
IXFT12N100 Pesquisa
IXFT12N100 Comprando
Ficha IXFT12N100