Compre IXYS-RF IXFN24N100F MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B

A imagem pode ser uma representação.
Veja as especificações para detalhes do produto.

Ver mais informações DataSheets

IXFN24N100F

MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B

Número da peça

IXFN24N100F

Fabricante/Marca

IXYS-RF

Series

HiPerRF™

Status da peça

Active

Embalagem

Tube

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Chassis Mount

Pacote/Caixa

SOT-227-4, miniBLOC

Pacote de dispositivos do fornecedor

SOT-227B

Dissipação de energia (máx.)

600W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Recurso FET

Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)

1000V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

24A (Tc)

Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs

390 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (máx.) @ ID

5.5V @ 8mA

Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs

195nC @ 10V

Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds

6600pF @ 25V

Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

Solicitar orçamento

Preencha todos os campos obrigatórios e clique em ENVIAR, entraremos em contato com você em 12 horas por e-mail.Se você tiver algum problema, deixe mensagens ou e-mail para [email protected], responderemos o mais breve possível.

Em estoque 609 PCS

Informações de contato

Produtos relacionados

IXFN100N10S1