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IXFN100N10S1
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
Número da peça
IXFN100N10S1
Fabricante/Marca
Series
HiPerFET™
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote/Caixa
SOT-227-4, miniBLOC
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-227B
Dissipação de energia (máx.)
360W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
15 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
180nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4500pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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