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MMIX1F160N30T
MOSFET N-CH 300V 102A SMPD
Número da peça
MMIX1F160N30T
Fabricante/Marca
Series
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
24-PowerSMD, 21 Leads
Pacote de dispositivos do fornecedor
24-SMPD
Dissipação de energia (máx.)
570W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
300V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
102A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
5V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
335nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2800pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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