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IXKG25N80C
MOSFET N-CH 800V 25A ISO264
Número da peça
IXKG25N80C
Fabricante/Marca
Series
CoolMOS™
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
ISO264™
Pacote de dispositivos do fornecedor
ISO264™
Dissipação de energia (máx.)
250W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
800V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
150 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 2mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
166nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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