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IXFZ140N25T
MOSFET N-CH 250V 100A DE475
Número da peça
IXFZ140N25T
Fabricante/Marca
Series
GigaMOS™ HiPerFET™
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
DE475
Pacote de dispositivos do fornecedor
DE475
Dissipação de energia (máx.)
445W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
250V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
17 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
255nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
19000pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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