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IXFN20N120

MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

Número da peça

IXFN20N120

Fabricante/Marca

IXYS

Series

HiPerFET™

Status da peça

Active

Embalagem

Tube

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Chassis Mount

Pacote/Caixa

SOT-227-4, miniBLOC

Pacote de dispositivos do fornecedor

SOT-227B

Dissipação de energia (máx.)

780W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Recurso FET

Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)

1200V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

20A (Tc)

Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs

750 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (máx.) @ ID

4.5V @ 8mA

Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs

160nC @ 10V

Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds

7400pF @ 25V

Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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