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IXFN170N65X2

MOSFET N-CH

Número da peça

IXFN170N65X2

Fabricante/Marca

IXYS

Series

HiPerFET™

Status da peça

Active

Embalagem

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Chassis Mount

Pacote/Caixa

SOT-227-4, miniBLOC

Pacote de dispositivos do fornecedor

SOT-227B

Dissipação de energia (máx.)

1170W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Recurso FET

Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)

650V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

170A (Tc)

Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs

13 mOhm @ 85A, 10V

Vgs(th) (máx.) @ ID

5V @ 8mA

Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs

434nC @ 10V

Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds

27000pF @ 25V

Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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