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IXFM11N80
POWER MOSFET TO-3
Número da peça
IXFM11N80
Fabricante/Marca
Series
HiPerFET™
Status da peça
Last Time Buy
Embalagem
-
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-204AA, TO-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-204AA
Dissipação de energia (máx.)
300W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
800V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
950 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4.5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
155nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4200pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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