SPB20N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK
Número da peça
SPB20N60C3ATMA1
Fabricante/Marca
Series
CoolMOS™
Status da peça
Not For New Designs
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-3-2
Dissipação de energia (máx.)
208W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
650V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
20.7A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
190 mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3.9V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
114nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2400pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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