Compre Infineon Technologies SPB100N03S2-03 G MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

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SPB100N03S2-03 G

MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

Número da peça

SPB100N03S2-03 G

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Series

OptiMOS™

Status da peça

Discontinued at Digi-Key

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote/Caixa

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacote de dispositivos do fornecedor

PG-TO263-3-2

Dissipação de energia (máx.)

300W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Recurso FET

Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)

30V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

100A (Tc)

Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs

3 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (máx.) @ ID

4V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs

150nC @ 10V

Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds

7020pF @ 25V

Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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