IRL60S216
MOSFET N-CH 60V 195A
Número da peça
IRL60S216
Fabricante/Marca
Series
HEXFET®, StrongIRFET™
Status da peça
Active
Embalagem
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de dispositivos do fornecedor
D2PAK
Dissipação de energia (máx.)
375W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
60V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
1.95 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
255nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
15330pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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