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IRG7CH37K10EF
IGBT CHIP WAFER
Número da peça
IRG7CH37K10EF
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
-
Tipo de entrada
Standard
Temperatura de operação
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
Die
Potência - Máx.
-
Pacote de dispositivos do fornecedor
Die
Tempo de recuperação reversa (trr)
-
Atual - Coletor (Ic) (Máx.)
15A
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
1200V
Tipo IGBT
-
Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 15A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm)
-
Trocando Energia
-
Taxa de portão
80nC
Td (ligado/desligado) @ 25°C
28ns/122ns
Condição de teste
600V, 15A, 10 Ohm, 15V
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