A imagem pode ser uma representação.
Veja as especificações para detalhes do produto.
Veja as especificações para detalhes do produto.
IRG7CH30K10EF
IGBT CHIP WAFER
Número da peça
IRG7CH30K10EF
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
-
Tipo de entrada
Standard
Temperatura de operação
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
Die
Potência - Máx.
-
Pacote de dispositivos do fornecedor
Die
Tempo de recuperação reversa (trr)
-
Atual - Coletor (Ic) (Máx.)
10A
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
1200V
Tipo IGBT
Trench
Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic
2.56V @ 15V, 10A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm)
-
Trocando Energia
-
Taxa de portão
4.8nC
Td (ligado/desligado) @ 25°C
10ns/90ns
Condição de teste
600V, 10A, 22 Ohm, 15V
Solicitar orçamento
Preencha todos os campos obrigatórios e clique em ENVIAR, entraremos em contato com você em 12 horas por e-mail.Se você tiver algum problema, deixe mensagens ou e-mail para [email protected], responderemos o mais breve possível.
Em estoque 2259 PCS
Informações de contato
Produtos relacionados
Palavras-chave deIRG7CH30K10EF
IRG7CH30K10EF Componentes eletrônicos
IRG7CH30K10EF vendas
IRG7CH30K10EF Fornecedor
IRG7CH30K10EF Distribuidor
IRG7CH30K10EF Tabela de dados
IRG7CH30K10EF fotos
Preço IRG7CH30K10EF
IRG7CH30K10EF Oferta
IRG7CH30K10EF Preço mais baixo
IRG7CH30K10EF Pesquisa
IRG7CH30K10EF Comprando
Ficha IRG7CH30K10EF