IRFL014NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Número da peça
IRFL014NTRPBF
Fabricante/Marca
Series
HEXFET®
Status da peça
Active
Embalagem
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-261-4, TO-261AA
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-223
Dissipação de energia (máx.)
1W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
55V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
160 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
11nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
190pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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