IRFH3707TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33
Número da peça
IRFH3707TR2PBF
Fabricante/Marca
Series
HEXFET®
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-PowerVDFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-PQFN (3x3)
Dissipação de energia (máx.)
2.8W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
12A (Ta), 29A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
12.4 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.35V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
8.1nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
755pF @ 15V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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