IRF9910TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
Número da peça
IRF9910TRPBF
Fabricante/Marca
Series
HEXFET®
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potência - Máx.
2W
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
10A, 12A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
9.3 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.55V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
900pF @ 10V
Solicitar orçamento
Preencha todos os campos obrigatórios e clique em ENVIAR, entraremos em contato com você em 12 horas por e-mail.Se você tiver algum problema, deixe mensagens ou e-mail para [email protected], responderemos o mais breve possível.
Em estoque 651 PCS
Informações de contato
Produtos relacionados
Palavras-chave deIRF9910TRPBF
IRF9910TRPBF Componentes eletrônicos
IRF9910TRPBF vendas
IRF9910TRPBF Fornecedor
IRF9910TRPBF Distribuidor
IRF9910TRPBF Tabela de dados
IRF9910TRPBF fotos
Preço IRF9910TRPBF
IRF9910TRPBF Oferta
IRF9910TRPBF Preço mais baixo
IRF9910TRPBF Pesquisa
IRF9910TRPBF Comprando
Ficha IRF9910TRPBF