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IRF9310PBF
MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC
Número da peça
IRF9310PBF
Fabricante/Marca
Series
HEXFET®
Status da peça
Not For New Designs
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
4.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.4V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
165nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
5250pF @ 15V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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