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IRF7807ATRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Número da peça
IRF7807ATRPBF
Fabricante/Marca
Series
HEXFET®
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
8.3A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
17nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V
Vgs (máx.)
±12V
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