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IRF7103Q
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Número da peça
IRF7103Q
Fabricante/Marca
Series
HEXFET®
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tube
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potência - Máx.
2.4W
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Standard
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
50V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
3A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
130 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
15nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
255pF @ 25V
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