IRF7701GTRPBF
MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
Número da peça
IRF7701GTRPBF
Fabricante/Marca
Series
HEXFET®
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-TSSOP
Dissipação de energia (máx.)
1.5W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
12V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
100nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
5050pF @ 10V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
1.8V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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