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IRF7341PBF
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
Número da peça
IRF7341PBF
Fabricante/Marca
Series
HEXFET®
Status da peça
Not For New Designs
Embalagem
Tube
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potência - Máx.
2W
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
55V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
4.7A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
36nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
740pF @ 25V
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