IRF7311TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
Número da peça
IRF7311TRPBF
Fabricante/Marca
Series
HEXFET®
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potência - Máx.
2W
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
6.6A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
29 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
700mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
27nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
900pF @ 15V
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