IRF6726MTR1PBF
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Número da peça
IRF6726MTR1PBF
Fabricante/Marca
Series
HEXFET®
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
DirectFET™ Isometric MT
Pacote de dispositivos do fornecedor
DIRECTFET™ MT
Dissipação de energia (máx.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
32A (Ta), 180A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
1.7 mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.35V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
77nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
6140pF @ 15V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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