IRF60DM206
MOSFET N-CH 60V 130A
Número da peça
IRF60DM206
Fabricante/Marca
Series
StrongIRFET™
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
DirectFET™ Isometric ME
Pacote de dispositivos do fornecedor
DirectFET™ Isometric ME
Dissipação de energia (máx.)
96W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
60V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
2.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3.7V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
200nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
6530pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
6V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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