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IRF6710S2TR1PBF
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Número da peça
IRF6710S2TR1PBF
Fabricante/Marca
Series
HEXFET®
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
DirectFET™ Isometric S1
Pacote de dispositivos do fornecedor
DIRECTFET S1
Dissipação de energia (máx.)
1.8W (Ta), 15W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
25V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
12A (Ta), 37A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
5.9 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.4V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
13nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1190pF @ 13V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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