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IPU60R1K5CEAKMA2
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3
Número da peça
IPU60R1K5CEAKMA2
Fabricante/Marca
Series
CoolMOS™ CE
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO251
Dissipação de energia (máx.)
49W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
600V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
1.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3.5V @ 90µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
9.4nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
200pF @ 100V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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