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IPU04N03LA G

IPU04N03LA G

MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
Número da peça
IPU04N03LA G
Fabricante/Marca
Series
OptiMOS™
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO251-3
Dissipação de energia (máx.)
115W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
25V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2V @ 80µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
41nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
5199pF @ 15V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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